Infineon IKP40N65F5XKSA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15
Verwandte Teile
InfineonIGP40N65F5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
InfineonIKP40N65H5XKSA1
IKP40N65H5: 650 V 74 A High Speed 5 IGBT TRENCHSTOPTM 5 Technology-PG-TO220-3
InfineonIKP30N65H5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP30M65DF2
STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB
STMicroelectronicsSTGP35HF60W
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STMicroelectronicsSTGP30V60DF
IGBT 600V 60A 258W TO220AB / IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 258 W Through Hole TO-220
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IKP40N65F5XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
IKP40N65F5 Series 650 V 74 A 55 W Through Hole DuoPack IGBT - PG-TO-220-3
Infineon IKP40N65F5XKSA1 Single IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.
IGBT, 650V, 40A, TO220-3; DC Collector Current: 40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 255W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3Pins;
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current74 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity500
Power Dissipation255 W
Reverse Recovery Time60 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen