STMicroelectronics STGWT60H65DFB
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWT60H65DFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
375W 80A 650V FS(Field Stop) TO-3P-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L / Low thermal resistance
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 175度 C, 375W;
IGBT, 650V, 80A, 175DEG C, 375W;
TO3P IGBT 60A @100C 600V TRENC
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-3P; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.756003 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time60 ns
Dimensions
Height20.1 mm
Length15.8 mm
Width5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant