STMicroelectronics STI26NM60N
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STI26NM60N herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-10
LTD Date2013-05-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTI33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAK package
STMicroelectronicsSTFI28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in I2PAKFP package
STMicroelectronicsSTI33N65M2
N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI26NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.135 Ohm, 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET I2PAK
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IC ADC CMOS 10BIT 1.8V 257-BGA
MOSFET, N CH, 600V, 20A, I2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 20A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Resistance165 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage600 V
Number of Elements1
Rds On Max165 mΩ
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STI26NM60N herunter.