onsemi NDBA180N10BT4H
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFS7730TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH315N10F7-2
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
InfineonIRFS7734TRLPBF
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH180N10F3-2
N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package
InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH240N10F7-2
N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NDBA180N10BT4H, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power MOSFET, 100V, 2.8mΩ, 180A, N-Channel
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 180A Ta 180A 200W Tc 130ns
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.95 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max2.8 mΩ
Rise Time320 ns
Turn-Off Delay Time185 ns
Turn-On Delay Time95 ns
Datenblätter und Dokumente
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