Infineon IRFS7734TRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRFS7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK N-Channel 75 V 183A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
InfineonIRFS7730TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
onsemiNDBA170N06AT4H
90W(Tc) 2.6V@1mA 280nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3.3mΩ@ 50A,10V 15.8nF@20V D2PAK SMD mount
STMicroelectronicsSTH265N6F6-2AG
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 / N-Channel 60 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS7734TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK N-Channel 75 V 183A (Tc) 290W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 183A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 183A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)183 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.15 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation290 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.5 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation290 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time123 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time124 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen