Infineon AUIRFS4310
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 3.445
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Stock
262,466
239,603
239,603
Authorized Distributors
0
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
2 V
-
-
Rds On Max
7 mΩ
7 mΩ
7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
300 W
Input Capacitance
7.67 nF
7.67 nF
7.67 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Verwandte Teile
InfineonAUIRFS4410Z
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InfineonAUIRF3808S
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Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon AUIRFS4310, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET,N CH,100V,75A,D2PAK; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Pd:300W; Voltage Vgs Max:20V
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Automotive 48V Energy Mgmt; Automotive 48V DC-DC; Automotive 48V Motor Drive; Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Exhaust; HV DC-DC Converter
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time78 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.67 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation300 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time110 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen