Infineon IRFS7730TRLPBF
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Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 34AC1760 | 267 | 1 | 2d | ||||||||
| Newark | IRFS7730TRLPBF | 267 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS7730TRLPBF | 235 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS7730TRLPBF | 0 | 2 | Bulk | 15h | |||||||
| Future Electronics | IRFS7730TRLPBF | 0 | 800 | Tape & Reel |
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Price @ 1000
$ 1.595
$ 1.24
Stock
149,280
145,854
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
2.6 mΩ
2.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
375 W
375 W
Input Capacitance
13.66 nF
13.66 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTH275N8F7-2AG
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS7730TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 75V 2.6 mOhm 271 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 75V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V;
Benefits: Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness; Fully characterized capacitance and avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability; Lead-free, RoHS compliant; StrongIRFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time115 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.66 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.6 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation375 W
Rds On Max2.6 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time180 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen