STMicroelectronics STH240N10F7-2
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STH240N10F7-2 | 60 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | STH240N10F7-2 | 993 | 1 | |||||||||
| Verical | STH240N10F7-2 | 993 | 1 | |||||||||
| TME | STH240N10F7-2 | 0 | 1K | 2h | ||||||||
| Future Electronics | STH240N10F7-2 | 0 | 1K | Tape & Reel |
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Price @ 1000
$ 1.902
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Stock
7,577,185
157,585
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
180 A
180 A
Threshold Voltage
4.5 V
3.5 V
Rds On Max
2.5 mΩ
2.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
315 W
Input Capacitance
11.55 nF
12.8 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-07-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STH240N10F7-2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
Mosfet, N-Ch, 100V, 180A, H2Pak-2 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STH240N10F7-2
300W(Tc) 20V 4.5V@ 250¦ÌA 160nC@ 10 V 1N 100V 2.5m¦¸@ 60A,10V 180A 11.55nF@25V H2PAK-2 4.9mm
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Ultra low on-resistance | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 100V, 180A, H2PAK-2, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)180 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.55 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max2.5 mΩ
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time49 ns
Dimensions
Height4.7 mm
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