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onsemi HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Future Electronics

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren

IHS

onsemi

element14

Farnell

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STMicroelectronicsSTGW30V60DF
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
STMicroelectronicsSTGW30V60F
IGBT 600V 60A 260W TO247 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
IGBT 600V 60A 187W TO247-3 IGBT Trench Field Stop 600 V 60 A 187 W Through Hole PG-TO247-3-1
HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG30N60B3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series
IGBT UFS N-CHAN 600V 60A TO-247
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3IGBT Single Transistor, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Ptpigbt To247 30A 600V Rohs Compliant: Yes
60 A 600 V N-CHANNEL IGBT TO-247
TRANSISTOR, IGBT; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:1.45V; Power Dissipation Pd:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:60A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:208W; Power Dissipation Pd:208W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.45V
The HGTG30N60B3 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter and power supplies.

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HGTG30N60B3.