onsemi HGTG20N60A4

HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
FarnellHGTG20N60A401
9h
element14 APACHGTG20N60A401
11h
Win SourceWS-HGTG20N60A41.79012
21m
Classic Components
4
HGTG20N60A49.092
14h
Worldway ElectronicsHGTG20N60A419.9667Tube
23h

Datenblätter und Dokumente

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onsemi

Datasheet10 SeitenVor 6 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

Future Electronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-10-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HGTG20N60A4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

HGTG20N60A4 Series 600 V 70 A Flange Mount SMPS N-Channel IGBT-TO-247
Future Electronics
Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT); Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Collector Current, Ic:70A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.8V; Power Dissipation, Pd:290W ;RoHS Compliant: Yes
Newark
The HGTG20N60A4 combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS, welder and induction heating.
Fairchild Semiconductor
IGBT, N, TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Voltage Vces:2.7V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:70A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG20N60A4; Fall Time tf:32ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Pin Format:GCE; Power Dissipation Max:290W; Power Dissipation Pd:290W; Power Dissipation Pd:290W; Power Dissipation Ptot Max:290W; Pulsed Current Icm:280A; Rise Time:12ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
element14 APAC

Bilder

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RS
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Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HGTG20N60A4..