onsemi FDS6673BZ

Name: onsemi FDS6673BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6673BZ

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, 14.5A, 7.8mΩ

$ 0.509

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FDS6673BZ	2.500	603					1,107	1,038	13h
Future Electronics		FDS6673BZ	2.500	2500	Tape & Reel					0,595
Newark	2	FDS6673BZ	622	1	Cut Tape	0,190	0,190	0,190	0,190	0,190
Master Electronics		FDS6673BZ	1.500	50				0,889	0,494	0,405
Onlinecomponents.com		FDS6673BZ	1.500	50	Bulk			0,889	0,494	0,405

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Datasheet7 SeitenVor 3 Jahren

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

element14 APAC

IHS

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onsemiFDS6673BZ

onsemiFDS6673BZ-F085

Price @ 1000

$ 0.509

$ 0.464

Stock

693,055

231,397

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOIC

Drain to Source Voltage (Vdss)

-30 V

30 V

Continuous Drain Current (ID)

14.5 A

Threshold Voltage

-1.9 V

Rds On Max

7.8 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

25 V

Power Dissipation

1 W

2.5 W

Input Capacitance

4.7 nF

Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-03-02

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDS6673BZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, 14.5A, 7.8mΩ

onsemi

P-Channel 30 V 7.8 mOhm PowerTrench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V

Fly-Wing Technology

Small Signal Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Rebound Electronics

This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, P CH, 30V, 14.5A, 8SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-14.5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):6.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.9V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDS6673BZ.

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight130 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)14.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance7.8 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time105 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance4.7 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.9 V

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation1 W

Rds On Max7.8 mΩ

Resistance7.8 MΩ

Rise Time16 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1.9 V

Turn-Off Delay Time225 ns

Turn-On Delay Time14 ns

Dimensions

Height1.75 mm

Length5 mm

Width4 mm