onsemi FDS6688S
$ 0.79
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
onsemiFDS7066ASN3
3W(Ta) 3V@1mA 62nC@ 10V 1individualNChannel 30V 4.8mΩ@ 19A,10V 2.46pF@15V SOIC-8 SMD mount
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDS6688S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta) 3V@1mA 78nC@ 10V 1individualNChannel 30V 6mΩ@ 16A,10V 3.29pF@15V SOIC-8 SMD mount
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 30V N-Channel PT SyncFET
30V, NCH, SO8, POWER TRENCH SYNCFET.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.29 nF
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max6 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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