Infineon IRF8113TRPBF
$ 0.49
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -59.83%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF8113TRPBF herunter.
Offizielles DatenblattVor 19 Jahren
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRF8113TRPBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8113TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Small Signal Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
30V 17.2A 5.6m´Î@10V17.2A 2.5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Package / Case:8-SOIC
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -59.83%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.2 A
Current Rating16.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5.6 mΩ
Resistance5.6 MΩ
Rise Time8.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.2 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF8113TRPBF herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen