Infineon IRF9317TRPBF
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
VishaySI4048DY-T1-GE3
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF9317TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 30 V 10.2 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -16A, SOIC; TRA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16A;
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 16 A, 0.0054 ohm, SOIC, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC N T/R
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; P-Channel MOSFET | Target Applications: Battery Protection; Load Switch High Side; Load Switch Low Side
MOSFET, P-CH, -30V, -16A, SOIC-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -16A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0054oh; Available until stocks are exhausted Alternative available
P Channel, MOSFET, -30V, -16A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 16 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 6.6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 120 / Rise Time ns = 64 / Turn-OFF Delay Time ns = 160 / Turn-ON Delay Time ns = 19 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time120 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max6.6 mΩ
Resistance10.2 MΩ
Rise Time64 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen