onsemi FDD86367-F085

Name: onsemi FDD86367-F085
Brand: onsemi
SKU: FDD86367-F085

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

$ 0.996

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	FDD86367-F085	12.500	2500						0,964	15h
Newark	2	FDD86367-F085	2.440	1	Cut Tape	2,970	1,600	1,600	1,600	1,600
Rochester Electronics		FDD86367-F085	203					1,200	0,996	0,888	12h
DigiKey	3	FDD86367-F085CT-ND	9.368	1	Cut Tape	3,120	2,019	1,393	1,077	1,077
Flip Electronics		FDD86367-F085	4.276								2d

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IHS

Datasheet7 SeitenVor 4 Jahren

Master Electronics

Future Electronics

Upverter

Fairchild Semiconductor

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onsemiFDD86367-F085

onsemiFDD86367

Price @ 1000

$ 0.996

$ 1.27

Stock

377,416

399,233

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

Continuous Drain Current (ID)

100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

4.2 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

227 W

Input Capacitance

4.84 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2015-05-06

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDD86367-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

Win Source

PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mΩ,

onsemi

Single N-Channel 80 V 100 A 227 W Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Richardson RFPD

Mv7 80/20V 1000A N-Channel Powertrench Mosfet / Tape Reel

Newark

Power Field-Effect Transistor, 80V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

MOSFET MV7 80/20V1000A N-CH PowerTrench MOSFET

Digi-ic_SMART PIONEER

场效应管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 80V, 100A, 227W;

element14 APAC

Bilder

Newark

Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDD86367F085
FDD86367_F085

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Weight260.37 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)100 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance4.2 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.84 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation227 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation227 W

Rds On Max4.2 mΩ

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time36 ns

Turn-On Delay Time20 ns

Dimensions

Height2.517 mm

Datenblätter und Dokumente

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