Infineon IPD90N08S405ATMA1
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Lieferkette
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
onsemiFDD86367-F085
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPD90N08S405ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0045 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
80V, N-Ch, 5.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING UP TO 175 DEGREE CELSI
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance5.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.8 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation144 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation144 W
Rds On Max5.3 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen