Infineon IPD053N08N3GATMA1

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 1.13
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD053N08N3GATMA15.0002500
4d
NewarkIPD053N08N3GATMA115.3471
Future Electronics
2
IPD053N08N3GATMA12.5002500Tape & Reel
Arrow Electronics
3
IPD053N08N3GATMA14.0881
RutronikTMOS25267.5002500
4h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPD053N08N3GATMA1 herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

_legacy Avnet

iiiC

Arrow Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-1.50%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPD053N08N3GATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginGermany, Malaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Verwandte Teile

InfineonIPD90N08S405ATMA1
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
Details
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Details
InfineonIRFR7540TRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 60V 110A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
Details
InfineonIRFR7540PBF
Single N-Channel 60 V 4 mOhm 86 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Details
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
Details
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD053N08N3GATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 80V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N CH, 90A, 80V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Bilder

RS
iiiC
Augswan
TME
Newark
RS
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD053N08N3 G
  • IPD053N08N3G
  • IPD053N08N3GBTMA1
  • SP000395183
  • SP001127818