onsemi FDD86367
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Price @ 1000
$ 1.148
$ 1.095
Stock
368,581
375,409
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vds)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
227 W
227 W
Input Capacitance
-
4.84 nF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD86367, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 100 A, 4.2 mΩ
N-Channel PowerTrench MOSFET 80V 100A 0.0042Ohm 3-Pin DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252AA
MOSFET N-Ch 227W(Tj) 20V 4V@250µA Qg 88nC@10V 80V 4.2mΩ@80A,10V Id 100A Coss 4.84nF@40V D-PAK TO-252 SMD 2.52mm H
Mosfet's - Single; |Onsemi FDD86367
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Off Line Switcher 11-Pin SOP-B EP T/R
MV7 80/20V 1000A N-CHANNEL POWER
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen