onsemi FDD86367
$ 1.08
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDD86367 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | FDD86367 | 3.725 | 50 | |||||||||
| Master Electronics | FDD86367 | 3.740 | 25 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FDD86367 | 3.740 | 25 | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | FDD86367 | 919 | 2h |
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CAD-Modelle
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1 Teil verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Alternative Teile
Dieser Teil
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Price @ 1000
$ 1.08
$ 0.978
Stock
397,509
330,020
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
80 V
Continuous Drain Current (ID)
100 A
100 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
4.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
227 W
227 W
Input Capacitance
-
4.84 nF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD86367, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 100 A, 4.2 mΩ
Mosfet, N-Ch, 80V, 100A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDD86367
227W(Tj) 20V 4V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 80V 4.2m¦¸@ 80A,10V 100A 4.84nF@40V D-PAK,TO-252 2.52mm
N-Channel PowerTrench MOSFET 80V 100A 0.0042Ohm 3-Pin DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252AA
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
MV7 80/20V 1000A N-CHANNEL POWER
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation227 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation227 W
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen