Infineon SPD06N80C3ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.792
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Newark
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SPD06N80C3ATMA16675Cut Tape
Arrow Electronics
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SPD06N80C3ATMA17981
Future Electronics
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SPD06N80C3ATMA12.5002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsSPD06N80C3ATMA114.161
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SPD06N80C3ATMA1CT-ND5.8721Cut Tape

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet10 SeitenVor 17 Jahren

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-27
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIPD80R1K0CEATMA1
TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
Details
InfineonIPD80R1K0CEBTMA1
Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 5.7A 3-Pin TO-252 T/R
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InfineonIPD65R660CFDBTMA1
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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VishaySIHD6N62E-GE3
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
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onsemiFCD850N80Z
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, DPAK
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STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon SPD06N80C3ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Semicontronic
MOSFET, N, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):900mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:6A; Package / Case:TO-252; Power Dissipation Pd:83W; Pulse Current Idm:18A; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 800 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 900 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 8 / Rise Time ns = 15 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 25 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 83
Distrelec
800V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance; (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting; Solar
Infineon

Bilder

element14 APAC
DKO Electronshik
Farnell
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Future Electronics
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001117772
  • SPD06N80C3