Vishay SIHD6N62E-GE3
$ 0.89
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Avnet | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | 3d | ||||||||
| Future Electronics | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| TTI Asia | SIHD6N62E-GE3 | Kontakt | 1d | |||||||||
| TTI Europe | SIHD6N62E-GE3 | 0 | 3K | Tube | 12h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIHD6N62E-GE3 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
InfineonSPD06N60C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
InfineonIPD50R650CEAUMA1
Mosfet Transistor, N Channel, 6.1 A, 500 V, 0.59 Ohm, 13 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
onsemiNDD60N745U1T4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 6.6A Tc 6.6A 84W Tc 600V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHD6N62E-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 620V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N CH, 620V, 6A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6A; Drain Source Voltage Vds: 620V; On Resistance Rds(on): 0.78ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance578 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max900 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SIHD6N62E-GE3 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen