Infineon IPD80R1K0CEATMA1

Transistor, Mosfet, 800V Coolmos Ce Power, N-channel, 800V, 18A, TO252
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Datasheet15 SeitenVor 0 Jahren
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Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Power MOSFET, N Channel, 800 V, 6 A, 0.78 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 6 A, 850 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STMicroelectronicsSTD11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
78W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 620V 900m¦¸@ 3A,10V 6A 578pF@100V TO-252AA 2.38mm
Single N-Channel 650 V 600 mOhm 21 nC SIPMOS® Power Mosfet - TO-252-3

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD80R1K0CEATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

TRANSISTOR, MOSFET, 800V COOLMOS CE POWER, N-CHANNEL, 800V, 18A, TO252
N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 800V, 5.7A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.7A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 83W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: CoolMOS CE Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
800V CoolMOS CE is Infineons high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS family, Infineon combines long experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R DS(on)*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V; Low gate charge (Q g); Field-proven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding price/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: LED lighting

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD80R1K0CE
  • SP001130974