Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | SPB10N10LG | 993 | 19h | |||||||||
| Verical | SPB10N10L G | 993 | 679 | |||||||||
| Component Stockers USA | SPB10N10L G | 987 | 5d | |||||||||
| Win Source | WS-SPB10N10L G | 12.000 | 225 | 20h | ||||||||
| Worldway Electronics | SPB10N10L G | 15.078 | 7 | Tape & Reel | 19h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2011-02-28
LTD Date2011-08-31
Verwandte Teile
VishayIRF520SPBF
3.7W(Ta),60W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 16nC@ 10 V 1N 100V 270m¦¸@ 5.5A,10V 9.2A 360pF@25V D2PAK
InfineonIPB35N10S3L26ATMA1
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon SPB10N10L G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.3 A
Current Rating-10.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance444 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max154 mΩ
Rise Time19.1 ns
Turn-Off Delay Time27.8 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen