Infineon IPB35N10S3L26ATMA1
$ 0.991
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +98.55%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IPB35N10S3L26ATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginAustria, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonAUIRF540ZS
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRF540ZSTRL
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 100V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 / Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPB35N10S3L26ATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
100V, N-Ch, 26.3 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0322ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 100V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0203Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB35N10S3L26ATMA1
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +98.55%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Resistance32.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation71 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance26.3 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation71 W
Rds On Max26.3 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen