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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
InfineonIPB26CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 / Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi SFW9530TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 100V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
3.8W(Ta)，66W(Tc) 4V@ 250µA 38nC@ 10V 1individualPChannel 100V 300mΩ@ 5.3A,10V 1.035pF@25V D2PAK SMD mount
Tape & Reel (TR) Surface Mount P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 10.5A Tc 3.8W Ta 66W Tc 100V -55C~175C TJ
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.035 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation66 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max300 mΩ
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
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