Infineon SPB08P06PGATMA1

MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
FarnellSPB08P06PGATMA101
19h
Win Source
2
WS-SPB08P06PG6.24945
20h
Worldway Electronics
2
SPB08P06PG12.6877
19h
AztechSPB08P06PGATMA110.891
16h
AnlinkdaSPB08P06PG37.112
1d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon SPB08P06PGATMA1 herunter.

IHS

Datasheet8 SeitenVor 19 Jahren

Upverter

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon SPB08P06PGATMA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15

Verwandte Teile

VishayIRF520SPBF
3.7W(Ta),60W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 16nC@ 10 V 1N 100V 270m¦¸@ 5.5A,10V 9.2A 360pF@25V D2PAK
Details
InfineonSPB10N10L G
Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Details
onsemiFQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK / N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Details
onsemiFQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Details
InfineonSPB03N60C3ATMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Details
onsemiSFW9530TM
MOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon SPB08P06PGATMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain
Newark
Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, P-CH, 60V, 8.8A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.221ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell
Infineons highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. | Summary of Features: Enhancement mode; Avalanche rated; Pb-free lead plating; RoHS compliant; Small Signal packages approved to AEC Q101 | Target Applications: Automotive; Consumer; DC-DC; eMobility; Motor control; Notebook; Onboard charger
Infineon

Bilder

Augswan
element14 APAC
element14 APAC
TME
RS
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP000102179
  • SPB08P06P G
  • SPB08P06PG