Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | FQB10N20LTM | 332 | 3K | Bulk | 14m | |||||||
| Component Stockers USA | FQB10N20LTM | 408 | 21h | |||||||||
| Win Source | WS-FQB10N20LTM | 3.700 | 55 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQB10N20LTM | 26.489 | 7 | Tape & Reel | 6h | |||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | FQB10N20LTM | 9.698 | 1 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQB10N20LTM herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
InfineonIRF6215SPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF630NSPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB10N20LTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 200V N-Ch QFET Logic Level
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance830 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation87 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max360 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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