Infineon JANTX2N6758
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Stock
71
31,057
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-3
TO-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
200 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
75 W
75 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
International RectifierJANTXV2N6756
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon JANTX2N6758, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
JANTX2N6758 Series 200 V 490 mOhm 75 W Through Hole Hexfet Transistor - TO-3
200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package, TO-204AA-2
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE
9 A 200 V 0.4 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-204AA
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-3
MountThrough Hole
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance490 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance400 mΩ
Power Dissipation75 W
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen