Infineon IRLML2402GTRPBF
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRLML2402GTRPBF | 0 | 6K | Bulk | 9h | |||||||
| Farnell | IRLML2402GTRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 7h | |||||||
| Microchip USA | IRLML2402GTRPBF | 317 | 3500 | Tray | 4d | |||||||
| Win Source | WS-IRLML2402GTRPBF | 54.750 | 305 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRLML2402GTRPBF | 19.530 | 7 | Tape & Reel | 1d |
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.041
$ 0.041
Stock
276,465
7,730,031
7,730,031
Authorized Distributors
2
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
1.2 A
760 mA
760 mA
Threshold Voltage
-
700 mV
700 mV
Rds On Max
250 mΩ
250 mΩ
250 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
12 V
Power Dissipation
540 mW
340 mW
340 mW
Input Capacitance
110 pF
110 pF
110 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2019-10-15
LTD Date2020-04-15
Verwandte Teile
InfineonIRLML6302GTRPBF
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3
InfineonIRLML6302TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.6Ohm;ID -0.78A;Micro3;PD 540mW;VGS +/-12V
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRLML2402GTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, 20V, 1.2A, 250 MOHM, 2.6 NC QG, LOGIC LEVEL, SOT-23, HALOGEN-FREE
20V Single N-Channel Lead Free HEXFET Power MOSFET in a Halogen Free Micro3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 20 V 0.35 Ohm 3.9 nC 540 W Generation V SMT Mosfet - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:1.2A; On Resistance Rds(On):0.25Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700Mv Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance110 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation540 mW
Manufacturer Package IdentifierMicro3
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance250 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation540 mW
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 MΩ
Rise Time9.5 ns
Turn-Off Delay Time9.7 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen