Infineon IRLML6244TRPBF

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
$ 0.115
Production
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRLML6244TRPBF117.0003K
5d
Newark
2
IRLML6244TRPBF41Cut Tape
Future Electronics
2
IRLML6244TRPBF471.0003KTape & Reel
Arrow Electronics
2
IRLML6244TRPBF40.1851
Rochester ElectronicsIRLML6244TRPBF1.910
10h

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IHS

Datasheet11 SeitenVor 14 Jahren

Newark

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iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRLML6244TRPBF
PanjitPJA3416AE_R1_00001
Price @ 1000
$ 0.115
$ 0.084
Stock
9,948,253
287,148
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
-
Case/Package
SOT-23
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
6.3 A
6.5 A
Threshold Voltage
900 mV
-
Rds On Max
21 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
-
Power Dissipation
1.3 W
-
Input Capacitance
700 pF
-

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRLML6244TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 20 V 27 mOhm 8.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-23
Future Electronics
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SOT-23, Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical
MOSFET,N CH,20V,6.3A,SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:12V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Pd:1.3W; Voltage Vgs Max:12V
element14 APAC
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:6.3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:900Mv; Power Dissipation:1.3W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRLML6244TRPBF.
Newark
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 6.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 27 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 12 / Rise Time ns = 7.5 / Turn-OFF Delay Time ns = 19 / Turn-ON Delay Time ns = 4.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.3
Distrelec

Bilder

Distrelec
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Farnell
TME
element14
Farnell
Distrelec
Conrad
TME
International Rectifier
Micros
LZChips
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Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IRFIRLML6244TRPBF
  • IRLML6244
  • IRLML6244TRPBF.
  • SP001558344