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Infineon IRFS4620TRLPBF

Single N-Channel 200V 77.5 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
$ 1.16
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
2
IRFS4620TRLPBF
46
1
Cut Tape
USD
3,770
3,770
1,870
1,760
1,680
Rochester Electronics
IRFS4620TRLPBF
134
USD
1,380
1,150
1,020
11h
Arrow Electronics
2
IRFS4620TRLPBF
1.163
1
USD
3,567
3,567
3,567
3,567
3,567
Mouser
942-IRFS4620TRLPBF
5.891
1
Tape & Reel
USD
3,470
1,740
1,570
1,170
1,170
DigiKey
3
IRFS4620TRLPBFCT-ND
13.248
1
Cut Tape
USD
3,470
2,258
1,568
1,568
1,568

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRFS4620TRLPBF herunter.

element14 APAC

Datasheet11 SeitenVor 17 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

Bestandsverlauf

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRFS4620TRLPBF
InfineonIRFS4620PBF
Price @ 1000
$ 1.16
$ 2.55
Stock
264,366
39,024
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
5 V
Rds On Max
77.5 mΩ
77.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
144 W
144 W
Input Capacitance
1.71 nF
1.71 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)

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Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Details
onsemiFDB2570
Trans MOSFET N-CH 150V 22A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRFS4620TRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 200V 77.5 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.0637ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 144W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Bilder

Infineon
Newark
element14 APAC
TME
RS APAC
Future Electronics
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001568008