Vishay IRF640STRLPBF
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174,958
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
18 A
18 A
18 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
180 mΩ
180 mΩ
180 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
130 W
3.1 W
3.1 W
Input Capacitance
1.3 nF
1.3 nF
1.3 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF3315SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 21A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20V;-55
InfineonAUIRF3315S
MOSFET, N-CH, 150V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF640STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen