Infineon IRFS4020PBF
$ 1.53
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
CAD-Modelle
Laden Sie Infineon IRFS4020PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 1.53
$ 1.407
Stock
67,888
132,651
Authorized Distributors
2
3
Mount
Surface Mount, Through Hole
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
18 A
18 A
Threshold Voltage
4.9 V
-
Rds On Max
105 mΩ
105 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
100 W
100 W
Input Capacitance
1.2 nF
1.2 nF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16
Verwandte Teile
InfineonIRF3315SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 21A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20V;-55
InfineonIPB17N25S3100ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRFS4020PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET Switch in a D2Pak package
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
DIGITAL AUDIO MOSFET Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 200V, 18A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V; Power Dissipation Pd:100W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:18A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:100W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4.9 V
Number of Elements1
On-State Resistance105 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation100 W
Rds On Max105 mΩ
Recovery Time120 ns
Rise Time12 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4.9 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm