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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
InfineonBUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonIPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB2670, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
93W(Tc) 4.5V@ 250µA 38nC@ 10V 1individualNChannel 200V 130mΩ@ 10A,10V 1.32pF@100V TO-263AB SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 200V N-Channel Pwr Trench
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:19A; On Resistance, Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Current Rating19 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.32 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation93 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation93 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time5 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen