Infineon IRF8707GTRPBF
$ 0.349
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8707GTRPBF | 0 | 25 | Bulk | 3h | |||||||
| Farnell | IRF8707GTRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 10h | |||||||
| Win Source | WS-IRF8707GTRPBF | 12.700 | 355 | 11h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF8707GTRPBF | 17.557 | 7 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| ICPartonline | IRF8707GTRPBF | 27.546 | 3d |
Datenblätter und Dokumente
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.349
$ 0.386
Stock
347,259
1,853,390
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
11.9 mΩ
11.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8707GTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
MOSFET, 30V, 11A, 11.9 MOHM, 6.2 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, N-CH, 30V, 11A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Pow
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11.9 mΩ
Rise Time7.9 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time7.3 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen