Infineon IRF7413ZTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 8 Milliohms; Id 13A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
$ 0.24
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIRF7413ZTRPBF34
12h
Arrow ElectronicsIRF7413ZTRPBF3.5101
RS (Formerly Allied Electronics)IRF7413ZTRPBF04KBulk
2h
AvnetIRF7413ZTRPBF04K
14h
Farnell
2
IRF7413ZTRPBF01Cut Tape
12h

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element14 APAC

Datasheet10 SeitenVor 18 Jahren

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF7413ZTRPBF
InfineonIRF7413TRPBF
InfineonIRF7413TRPBF
Price @ 1000
$ 0.24
$ 0.53
$ 0.53
Stock
1,039,127
1,377,972
1,377,972
Authorized Distributors
5
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
13 A
13 A
Threshold Voltage
1.8 V
3 V
3 V
Rds On Max
10 mΩ
11 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
1.21 nF
1.8 nF
1.8 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-05-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-30
LTD Date2026-03-31

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7413ZTRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 30 V 10 mOhm 9.5 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
ComSIT Distribution GmbH
Transistor MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
189W 20V 4.5V@ 760uA 67nC@ 10V 1N 600V 75m¦¸@ 15.1A,10V 33A 2.721nF@ 400V SOIC
UnikeyIC
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:13A; On Resistance, Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 13 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 10 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.8 / Rise Time ns = 6.3 / Turn-OFF Delay Time ns = 11 / Turn-ON Delay Time ns = 8.7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Distrelec

Bilder

Infineon
RS
Augswan
TME
Farnell
RS (Formerly Allied Electronics)
Distrelec
Conrad
LZChips
International Rectifier
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 7413ZTRPBF
  • IRF7413ZTRPBF.
  • SP001555342