Infineon IRF8707TRPBF
$ 0.377
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8707TRPBF | 0 | 40 | Bulk | 10h | |||||||
| Farnell | IRF8707TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 21h | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF8707TRPBF | 8.000 | 1 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Win Source | WS-IRF8707TRPBF | 14.510 | 55 | 22h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF8707TRPBF | 11.038 | 7 | Tape & Reel | 22h |
Datenblätter und Dokumente
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.377
$ 0.341
Stock
1,833,710
375,455
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SO
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
11.9 mΩ
11.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMS3015SSS-13
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8707TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
IRF8707TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Single N-Channel 30 V 17.5 mOhm 9.3 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Trans MOSFET N-CH Si 30V 11A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
30V 11A 11.9m´Î@10V11A 2.5W 2.35V@25Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):11.9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SOIC; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11.9 mΩ
Resistance11.9 MΩ
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time7.3 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen