Infineon IRF8313TRPBF
$ 1.21
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8313TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 9h | |||||||
| Farnell | IRF8313TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 19h | |||||||
| Microchip USA | IRF8313TRPBF | 307 | 600 | 6d | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF8313TRPBF | 8.000 | 1 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| Win Source | WS-IRF8313TRPBF | 14.880 | 20 | 20h |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China, Philippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-11-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Verwandte Teile
InfineonIRF8707GTRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8313TRPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 30 V 21.6 mOhm 9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 30V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:9.7A; On Resistance Rds(On):0.0125Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance15.5 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max15.5 mΩ
Resistance15.5 MΩ
Rise Time9.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time8.5 ns
Turn-On Delay Time8.3 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen