Infineon IRF7862PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 3.7MILLIOHMS; Id 21A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF7862PBF herunter.

IHS

Datasheet9 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 16 Jahren

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IRF7862PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 0.501
Stock
99,022
1,051,993
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
21 A
21 A
Threshold Voltage
5.4 V
-
Rds On Max
3.7 mΩ
3.7 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
4.09 nF
4.09 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

Verwandte Teile

InfineonIRF8734PBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
onsemiFDS6699S
N-Channel 30 V 3.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF8788PBF
IRF8788PBF N-channel MOSFET Transistor,24 A, 30 V, 8-Pin SOIC
onsemiFDS8670
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
InfineonIRF8252PBF
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 18A, 4mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF7862PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.4V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Charge Qrr @ Tj = 25°C Typ:30nC; Current Id Max:21A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:170A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.35V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001555698