onsemi NTMS4802NR2G
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2013-01-11
LTD Date2013-07-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF7862PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.7Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi NTMS4802NR2G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 18A, 4mΩ
N-Channel 30 V 2.1 mOhm 1.7 W Surface Mount Power Mosfet - SO-8
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin SOIC N T/R
Power MOSFET 30 V 18 A N Channel SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 11.1A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 13.6A N-CH 0.009OHM
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:15A; On Resistance, Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.66 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max4 mΩ
Resistance4 MΩ
Rise Time42 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen