Infineon IRF8252PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2016-12-02
LTD Date2017-09-02
Verwandte Teile
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IRF8252PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta) 20V 2.35V@ 100¦ÌA 53nC@ 4.5 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 25A,10V 25A 5.305nF@13V SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin SOIC Tube
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed for high efficiency DC-DC converters, SO8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
MOSFET, N-CH, 25V, SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:SOIC-8; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:1.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.35V; Voltage Vgs th Min:1.35V
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.305 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.7 mΩ
Package Quantity3800
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.7 mΩ
Recovery Time29 ns
Resistance2.7 MΩ
Rise Time32 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen