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Infineon IRF630NSPBF

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Win Source
WS-IRF630NSPBF
14.450
105
USD
0,424
0,424
5h
Worldway Electronics
IRF630NSPBF
6.820
7
Bulk
USD
0,342
0,335
0,322
0,316
3h
Microchip USA
IRF630NSPBF
265
100
Bulk
22h
Aztech
IRF630NSPBF
611
USD
19,770
19,770
19,770
19,770
19,770
1h
Fly-Wing Technology
IRF630NSPBF
17.842
USD
1,128
0,925
0,897
0,839
0,839
3d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IRF630NSPBF herunter.

element14 APAC

Datasheet11 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet12 SeitenVor 21 Jahren

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Farnell

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
InfineonIRF630NSPBF
InfineonIRF630NSTRLPBF
Price @ 1000
$ 1.59
Stock
133,450
744,870
Authorized Distributors
0
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
9.3 A
9.3 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
300 mΩ
300 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
82 W
82 W
Input Capacitance
575 pF
575 pF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2016-11-16
LTD Date2017-05-16

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Details
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Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF630NSPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK N-Channel 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Surface Mount D2PAK
Eurochip Technologies LTD
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Verical
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 82 W
Distrelec
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:9.3A; On Resistance, Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 200V, 9.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:82W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Alternate Case Style:D2-PAK; Avalanche Single Pulse Energy Eas:94mJ; Capacitance Ciss Typ:575pF; Current Iar:9.3A; Current Id Max:9.3A; Current Idss Max:25µA; Current Temperature:25°C; External Depth:15.49mm; External Length / Height:4.69mm; External Width:10.16mm; Fall Time tf:15ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:175°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.83°C/W; N-channel Gate Charge:35nC; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:300mohm; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:82W; Power Dissipation Pd:82W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:37A; Rise Time:14ns
element14 APAC

Bilder

Infineon
element14 APAC
Distrelec
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
DKO Electronshik
Newark
Farnell
Distrelec
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SP001574794