Infineon IRF2807PBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 13 Milliohms; ID 82A; TO-220AB; PD 230W; gFS 38S
$ 0.782
NRND
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Dieser Teil
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$ 0.782
$ 1.1
Stock
2,501,636
76,457
Authorized Distributors
6
3
Mount
Surface Mount, Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
13 mΩ
13 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
200 W
230 W
Input Capacitance
3.82 nF
3.82 nF

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

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N-Channel 55 V 0.012 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
N-Channel PowerTrench® MOSFET 75V, 80A, 6mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF2807PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;TO-220AB;PD 230W;gFS 38S
Single N-Channel 75 V 13 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 71 A, 0.013 ohm, TO-220AB, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 80V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
N Channel Mosfet, 75V, 82A To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:82A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF2807PBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 82 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 75 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 48 / Rise Time ns = 64 / Turn-OFF Delay Time ns = 49 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220AB / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 230
MOSFET, N, 75V, 82A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:71A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:82A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:13mohm; Package / Case:TO-220AB; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:150W; Power Dissipation Pd:150W; Pulse Current Idm:280A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • 2807PBF
  • IRF 2807PBF
  • IRF2807
  • IRF2807 PBF
  • IRF2807-PBF
  • IRF2807PBF.
  • SP001550978