onsemi HUF75339P3

N-Channel 55 V 0.012 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
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NewarkHUF75339P33281
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HUF75339P3107
Arrow ElectronicsHUF75339P3101
Rochester Electronics
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HUF75339P314.025
1h
DigiKeyHUF75339P3-ND1101Tube

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Upverter

Technical Drawing1 SeiteVor 6 Jahren

Newark

IHS

Fairchild Semiconductor

element14 APAC

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi HUF75339P3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 55 V 0.012 Ohm Flange Mount UltraFET Power Mosfet - TO-220AB
Future Electronics
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220; UltraFET®
SHENGYU ELECTRONICS
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 12mΩ
onsemi
Trans MOSFET N-CH 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Verical
55V 75A 12m´Î@10V75A 200W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IHS
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:75A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:12mohm; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulse Current Idm:160A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
element14 APAC
These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, lowvoltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.Formerly developmental type TA75339.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Farnell
TME
Farnell
Newark
iiiC
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Future Electronics
element14
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • HUF75339P3.