Infineon IRF1010NPBF

Name: Infineon IRF1010NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF1010NPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 11 Milliohms; ID 85A; TO-220AB; PD 180W; gFS 32S

$ 2.06

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF1010NPBF	0	1	Bulk	2,350	2,060	2,060	2,060	2,060	14h
Farnell		IRF1010NPBF	0	1		2,115*	1,161*	1,161*	1,161*	1,161*	18h
Component Stockers USA		IRF1010NPBF	5.524			0,740	0,740	0,640	0,700	0,700	>1wk
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF1010NPBF	5.000	1	Tape & Reel	4,486	4,486	4,486	4,486	4,486	23h
Win Source	2	WS-IRF1010N	12.285	35				1,250	1,015	1,015	23h

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1995-11-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IRF1010NPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;TO-220AB;PD 180W;gFS 32S

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Verical

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: N Power dissipation: 180 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:85A; On Resistance, Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220AB ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:68A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):12.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:115W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:85A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:1.2°C/W; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; On State resistance @ Vgs = 10V:11mohm; Package / Case:TO-220AB; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Power Dissipation Pd:115W; Power Dissipation Pd:115W; Pulse Current Idm:270A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:55V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

IRF 1010 N PBF
IRF1010N
IRF1010NPBF.
SP001563032

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)75 A

Current Rating85 A

Drain to Source Breakdown Voltage55 V

Drain to Source Resistance11 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)55 V

Dual Supply Voltage55 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time48 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance3.21 nF

Max Junction Temperature (Tj)175 °C

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation115 W

Min Breakdown Voltage55 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance11 mΩ

Package Quantity1000

PackagingBulk

Power Dissipation130 W

Rds On Max11 mΩ

Recovery Time100 ns

Resistance11 MΩ

Rise Time76 ns

Schedule B8541290080

TerminationThrough Hole

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time39 ns

Turn-On Delay Time13 ns

Voltage Rating (DC)55 V

Dimensions

Height19.8 mm

Lead Pitch2.54 mm

Length10.6426 mm

Width4.82 mm