Infineon IPW60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
$ 2.144
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Infineon IPW60R099P6XKSA1 herunter.

IHS

Datasheet18 SeitenVor 0 Jahren

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-9.08%

CAD-Modelle

Laden Sie Infineon IPW60R099P6XKSA1 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Alternative Teile

Price @ 1000
$ 2.144
$ 2.216
Stock
119,309
1,769,108
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-247
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
37.9 A
31 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
99 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
278 W
117 W
Input Capacitance
3.33 nF
-

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

STMicroelectronicsSTW48N60DM2
N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long leads package
STMicroelectronicsSTW43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
STMicroelectronicsSTW35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
Transistor MOSFET N-Channel 600V 30A 3-Pin TO-247 Tube
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPW60R099P6XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Infineons CoolMOS™ P6 superjunction MOSFET family is designed to enable higher system efficiency whilst being easy to design in. CoolMOS™ P6 closes the gap between technologies which focus on delivering ultimate performance and those which concentrate more on ease-of-use.
Mosfet, N-Ch, 600V, 37.9A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.089Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R099P6XKSA1

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPW60R099P6
  • SP001114658