STMicroelectronics STW35N60DM2
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
InfineonIPW60R099CPAFKSA1
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 31A, 255W; |Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW35N60DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
N-Channel 600 V 110 mOhm Flange Mount Mdmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh DM2series, Vds=600 V, 28 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance94 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max110 mΩ
Threshold Voltage4 V
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