Infineon IPW60R099P7XKSA1
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Stock
1,773,059
119,541
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Through Hole
Case/Package
-
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
31 A
37.9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
99 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
117 W
278 W
Input Capacitance
-
3.33 nF
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Infineon IPW60R099P7XKSA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin TO-247 Tube
Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 117W, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.077Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPW60R099P7XKSA1
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Aliasnamen des Herstellers
Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance99 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation117 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time89 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height25.4 mm
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