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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Verwandte Teile
InfineonIPD50R1K4CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3 N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
VishaySIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK / N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
InfineonSPD03N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3 N-Channel 500 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
InfineonIPD50R2K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3 N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD3N50CTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
TRANS MOSFET N-CH 500V 2.5A 3PIN DPAK
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 500V, N-CHA NNEL MOSFET
500V N-Channel Advanced QFET® C-series
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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