onsemi FQD4N50TF
$ 0.481
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Verwandte Teile
onsemiFQD3N50CTF
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySIHD3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK / N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQD4N50TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
2.5W(Ta),45W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 13nC@ 10V 1N 500V 2.7¦¸@ 1.3A,10V 460pF@25V DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Power Field-Effect Transistor
MOSFETs 500V N-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.7 Ω
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)500 V