Infineon IPD60R1K5CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
$ 0.271
NRND
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IHS

Datasheet14 SeitenVor 0 Jahren

Infineon

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Alternative Teile

Price @ 1000
$ 0.271
$ 0.281
Stock
703,375
71,434
Authorized Distributors
6
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
5 A
5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
1.5 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
28 W
49 W
Input Capacitance
-
200 pF

Lieferkette

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Verwandte Teile

Single N-Channel 600 V 500 Ohm 0.65 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 3.7 A, 1.89 ohm, SOT-223, Surface Mount
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Surface Mount
STMicroelectronicsSTN1NK60Z
N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in SOT-223 package
Diodes Inc.BSS127S-7
Single N-Channel 600 V 190 Ohm 1.08 nC 1.25 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.BSS127SSN-7
Mosfet, N-Ch, 600V, 0.05A, Sc-59 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS127SSN-7

Beschreibungen

Beschreibungen von Infineon IPD60R1K5CEAUMA1, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 600V, 5A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):1.26Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD60R1K5CEAUMA1
Summary of Features: Narrow margins between typical and max R DS(on); Reduced energy stored in output capacitance (E oss); Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr); Optimized integrated R g | Benefits: Low conduction losses; Low switching losses; Suitable for hard and soft switching; Easy controllable switching behavior; Improved efficiencyand consequent reduction of power consumption; Less design in effort; Easy to use | Target Applications: Laptop and notebook adapter; Low power charger; Lighting; LCD and LED TV

Aliasnamen des Herstellers

Infineon verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Infineon ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • IPD60R1K5CE
  • SP001396902